Този усъвършенстван HEXFET® Power MOSFET използва технологии за производство от последно поколение, за да постигне изключително ниско съпротивление при проводимост RDS(on) на силициева повърхност и нисък индекс E-PULSE. Специално проектиран за изискващите условия на работа в Plasma Display Panels (PDP), той предлага водеща скорост на превключване (switching), устойчивост на високи пикови токове и възможност за работа при високи температури до 175°C.