Паметта RAM PNY MN16GSD42666-SB надгражда паметта на лаптоп с капацитет 16 GB и скорост 2666 MHz. Тя е във формат 260-pin SO-DIMM и с тайминг CAS Latency 19, а архитектурата ѝ е Non-ECC Unbuffered.
Работи с напрежение 1,2 V и поддържа спецификациите JEDEC и инсталиране Plug & Play.
- Тип памет: DDR4
- Капацитет: 16 GB
- Брой модули: 1
- Скорост на паметта: 2666 MHz
- Тайминг CAS Latency: 19
- Формат: 260-pin SO-DIMM
- Архитектура: Non-ECC Unbuffered
- Работно напрежение: 1,2 V
- Съвместимост: Лаптоп
- Инсталиране: Plug & Play
- Спецификации: JEDEC
- Употреба: Ежедневна употреба и взискателни приложения
- Номер на продукта
- MN16GSD42666-SB
Основни характеристики
- Общ капацитет
- 16 GB
- Тип
- DDR4
- Тип компютър
- Лаптоп
- Размер
- SO-DIMM GB
- Употреба
- Обикновена ежедневна
- UDIMM
- Не
- CUDIMM
- Не
Специални функции
- Брой модули
- 1
- CAS латентност
- 19
- RGB Lighting
- Не
Важна информация
Спецификациите са събрани от официални уебсайтове на производителите. Моля, проверете ги, преди да продължите с окончателната си покупка. Ако забележите някакъв проблем, докладвайте го тук.